偏壓（Bias)是指在鍍膜過程中施加在基體上的負電壓。偏壓電源的正極接（jiē）到真空室上，同時真空室接地，偏壓的負極接到工件上。由於大地的電壓一般認為（wéi）是（shì）零電位，所以工件（jiàn）上的電壓習慣說負偏壓，簡稱偏壓。

負偏壓的作用
提供粒子能量；
對於基片的加熱效應；
清除基片上（shàng）吸附的氣體和油汙等，有利於提高膜層結合強度；
活化基體表麵；
對電弧離子鍍（Arc Ion Plating)中的大顆粒有淨化作用；

偏壓的分類
根據波形可分為：
直（zhí）流偏壓
直流脈衝偏壓
直流疊加脈衝偏（piān）壓
雙（shuāng）極性脈衝偏壓

直流偏壓和脈衝偏壓的比較（jiào）

傳統的電弧離（lí）子鍍是在基（jī）片台上施加直流負偏壓控（kòng）製離子轟（hōng）擊能量, 這種沉積工藝存（cún）在以下缺點:
        基體溫升高, 不利於在（zài）回火溫度低的基體上沉積硬質膜。
        高能離子轟（hōng）擊造成嚴重（chóng）的濺射（shè）, 不能簡單通過提（tí）高離子轟擊能量合成（chéng）高反應閾能的硬質薄膜（mó）。
直流偏（piān）壓電（diàn）弧離子鍍工藝中,為了（le）抑製因離子對基體表麵（miàn）連（lián）續轟擊而導致的基（jī）體溫度過高,主要采取減少沉積功率（lǜ）、縮短沉積時間、采用間歇沉積方式等措（cuò）施來降低沉積溫度，這些措（cuò）施可以概括地稱為能量（liàng）控製法'這種（zhǒng）方（fāng）法雖然可以降低沉積（jī）溫度,但也使薄膜的某些性能下降,同時還降低了生產效率和薄膜質量的穩定性，因此,難以推廣應用。
脈衝偏壓電弧離子鍍工藝中,由於離子是（shì）以非連（lián）續的脈衝方式轟擊（jī）基體表麵,所（suǒ）以通過調節脈衝偏壓的占空比,可改變基體內部與表麵之間的溫度梯度,進而改（gǎi）變基體內部與表麵之間熱（rè）的（de）均衡補償效果（guǒ）,達到調控沉積溫度的目的。這（zhè）樣就（jiù）可以把施加偏壓的脈衝高度與工件溫度獨立分開(互不影響或影響很小)調（diào）節,利用高壓脈衝來獲得高（gāo）能離（lí）子的（de）轟擊效應以改善薄膜的組（zǔ）織（zhī）和性能,通過降低占空比來減小（xiǎo）離子（zǐ）轟擊的總加（jiā）熱效應以（yǐ）降低（dī）沉積溫度（dù）。

偏壓對膜層的影響

偏（piān）壓對膜層的（de）影響機（jī）製是很複雜的，下麵列出了一些主要影響，可以根據自己的使用工藝，觀察總結（jié），就可以很快（kuài）摸清偏壓對膜層的影響規律。
        膜層結構、結晶構（gòu）造取向、組織結構
        沉積速率
        大顆粒淨化
        膜層硬度
        膜層致密度
        表麵形貌
        內應（yīng）力

下一個：真空鍍膜機適用範圍真空鍍膜機用戶設置具（jù）體（tǐ）設置