物理氣相沉積介紹（shào）之真空卷繞鍍膜（mó）技術：
        真空卷繞鍍膜(卷對卷（juàn）)是在真空下應用不同方法在柔（róu）性基體上實現連續鍍膜的一種技術。它涵蓋真空獲得、機電控製、高精傳動和表麵分析等多（duō）方麵內容。其重點是，在保證（zhèng）鍍膜質量前提下（xià）提高卷繞速率、控製鍍膜穩定性（xìng）及實施在線監控。卷對卷技術成本低、易操作、與柔（róu）性基底相容、生產率高及可連續鍍多層膜等優點。第一台真空蒸發卷繞鍍（dù）膜機1935年製成，現可（kě）鍍幅寬由500至（zhì）2500mm。卷（juàn）對卷技術應用由包裝和裝飾用膜，近年（nián）逐漸擴（kuò）大至激光防偽膜、導電等功能（néng）薄膜方麵，是未來柔性（xìng）電子等行業的主流技術（shù）之一。
        真空卷繞鍍膜（mó）係統按結構可分為單室、雙室和多室真空卷繞係統，後兩者可解決開卷放氣問題並分別控製卷繞和鍍膜室各自真空度。卷繞張（zhāng）力控製分錐度（dù）、間接（jiē）和直接（jiē）控製模型，錐度控製（zhì）模型可解決薄膜褶皺和徑向力分布不均（jun1）的問（wèn）題；間接張力控製無需傳感器，可用（yòng）內置張力控製模塊的矢量變頻器代替；直接張力控製通過張力（lì）傳（chuán）感器（qì）精（jīng）確測量張力值，但需慣性矩和（hé）角速度等多種參數。真空卷繞鍍膜主要有（yǒu）真空（kōng）蒸發、磁控濺射等方式，可用於製（zhì）備新型高折射率薄膜、石墨烯等（děng）納米材料（liào）和柔性太陽能電（diàn）池等半導體器件。針對真空卷繞鍍（dù）膜技術研（yán）究（jiū）現狀及（jí）向產業化過（guò）渡存在的問題，最（zuì）後作了簡要分析（xī）與展望。
        真空卷對卷（juàn）設備由抽（chōu）真空、卷繞、鍍膜和電氣控製等（děng）係統組成。真空卷繞鍍（dù）膜設備（bèi）根據真空室（shì）有無擋板，可分單室（shì）、雙室和多室結（jié）構。單室的收放卷輥和鍍膜輥在同一（yī）室中，結（jié）構簡單（dān）但開（kāi）卷時放氣會汙染真空環境。雙室結構將係統用擋板隔成卷繞和（hé）鍍膜室（shì），卷輥與擋板（bǎn）間隙約1.5mm，避免了（le）類（lèi）似開卷放氣問題。多室常（cháng）用於製備複合薄（báo）膜，在雙室基礎上將相鄰（lín）鍍膜區用擋板隔開避免幹擾。如Krebs等將Skultuna FlexiblesAB的開普頓擋板固定（dìng）於兩磁控濺射靶間，板兩側塗覆50μm的銅層。分隔擋板與真（zhēn）空室壁狹縫越小越好。據鍍（dù）膜時輥（gǔn）筒作用分為單主輥和多主輥卷繞（rào）鍍膜機。據電機個數，則可分為（wéi）兩電機、三電機和四電機驅動係統（tǒng）。

下一個：真空鍍膜機所以在後掩蔽和清洗輥速度不太快